RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
53
En -112% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3942
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link