RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
53
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3773
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link