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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
53
En -112% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3845
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
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