RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
53
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
40
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2254
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link