RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
53
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link