RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
53
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2429
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link