RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
53
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.3
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
1884
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Informar de un error
×
Bug description
Source link