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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
53
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2635
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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