RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
71
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
71
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
1863
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link