RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
53
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2969
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link