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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
53
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
4095
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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