RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
53
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3351
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link