RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
25
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3286
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link