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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
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Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
2851
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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