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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En 46% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
46
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3168
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905744-027.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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