RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3201
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link