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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
2910
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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