RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3444
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link