RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
96
En -284% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3729
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link