RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
96
En -220% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3273
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link