RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
96
En -231% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3714
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link