RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
96
En -243% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3317
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link