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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
96
En -465% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
17
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3702
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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