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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
96
En -269% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3899
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
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