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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
96
En -220% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2147
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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