RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
96
En -317% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2457
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link