RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
96
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2960
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link