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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
16
25
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
16
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
22.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1381
3906
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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