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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Compara
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1930
2321
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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