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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Compara
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2354
2508
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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