RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Compara
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2354
2200
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link