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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Compara
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2354
2591
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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