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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
26
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2354
3167
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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