Comparación de la memoria RAM Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Puntuación global

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 71

En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.5 6.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 14.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2354 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns