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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2616
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
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