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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
53
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
53
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2356
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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