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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
70
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
70
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2519
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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