RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
3385
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link