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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2925
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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