RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2542
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link