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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2284
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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