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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2272
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
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