RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2229
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Mushkin 994083 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link