RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
1925
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link