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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
64
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2052
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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