Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB

Revisión RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB, especificaciones, puntos de referencia

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB revisión del módulo de memoria. Principales características técnicas y evaluación de rendimiento de PassMark. Sugerimos estudiar todos los datos y compararlos con el modelo de la competencia.

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Características
  • Type
    DDR2
  • Nombre
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6
  • Características
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Ancho de banda de la memoria
    6400 mbps
  • Tiempos / Velocidad del reloj

    * consultar el sitio web del fabricante

    5-5-5-15 / 800 MHz
Rendimiento de PassMark
  • Latencia
    51 ns
  • Velocidad de lectura
    5,018.9 GB/s
  • Velocidad de escritura
    2,198.8 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

La latencia CAS mide el número de ciclos de reloj que pasan desde que se realiza una petición de lectura de datos hasta que dicha información está disponible

Pruebas de rendimiento

Pruebas reales Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Tiempo medio de lectura en memoria sin caché
Velocidad de transferencia de escritura
Velocidad media de escritura
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