Samsung M396T1G60QJ4-CF68 8GB
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Samsung M396T1G60QJ4-CF68 8GB

Revisión RAM Samsung M396T1G60QJ4-CF68 8GB, especificaciones, puntos de referencia

Samsung M396T1G60QJ4-CF68 8GB revisión del módulo de memoria. Principales características técnicas y evaluación de rendimiento de PassMark. Sugerimos estudiar todos los datos y compararlos con el modelo de la competencia.

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Características
  • Type
    DDR2
  • Nombre
    Samsung M396T1G60QJ4-CF68
  • Características
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Ancho de banda de la memoria
    5300 mbps
  • Tiempos / Velocidad del reloj

    * consultar el sitio web del fabricante

    no data
Rendimiento de PassMark
  • Latencia
    176 ns
  • Velocidad de lectura
    1,842.8 GB/s
  • Velocidad de escritura
    1,292.9 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

La latencia CAS mide el número de ciclos de reloj que pasan desde que se realiza una petición de lectura de datos hasta que dicha información está disponible

Pruebas de rendimiento

Pruebas reales Samsung M396T1G60QJ4-CF68 8GB
Califique la RAM
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