Samsung WD2RE04GX818V-800 4GB
Seleccionar RAM 2
Puntuación global
star star star star star
Samsung WD2RE04GX818V-800 4GB

Revisión RAM Samsung WD2RE04GX818V-800 4GB, especificaciones, puntos de referencia

Samsung WD2RE04GX818V-800 4GB revisión del módulo de memoria. Principales características técnicas y evaluación de rendimiento de PassMark. Sugerimos estudiar todos los datos y compararlos con el modelo de la competencia.

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Características
  • Type
    DDR2
  • Nombre
    Samsung WD2RE04GX818V-800
  • Características
    PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Ancho de banda de la memoria
    5600 mbps
  • Tiempos / Velocidad del reloj

    * consultar el sitio web del fabricante

    no data
Rendimiento de PassMark
  • Latencia
    69 ns
  • Velocidad de lectura
    3,740.4 GB/s
  • Velocidad de escritura
    2,345.8 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

La latencia CAS mide el número de ciclos de reloj que pasan desde que se realiza una petición de lectura de datos hasta que dicha información está disponible

Pruebas de rendimiento

Pruebas reales Samsung WD2RE04GX818V-800 4GB
Califique la RAM
Samsung WD2RE04GX818V-800 4GB