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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
40
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1654
2148
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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