RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
4.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
4.6
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1560
2687
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 0000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link